三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结()偏、集电结()偏时的()电流与()电流之比。
三极管处于放大状态时,其集电结处于()。
三极管处于放大状态时,其集电结处于()。
放大电路应遵循的基本原则是()结正偏;集电结()偏。
当晶体管处于放大区时,理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而()。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而(),这称为()效应。
三极管的集电结和发射结均处于正偏状态时,三极管处于()。
三极管的集电结和发射结均处于正偏状态时,三极管处于()。
晶体三极管的工作状态分为三个区域,当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,曲线近似水平的部分称为()。
晶体三极管的工作状态分为三个区域,当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,曲线近似水平的部分称为()。