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问答题

制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10 -3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D 1600℃=8×10 -12cm 2/s;当 )?

发布日期:2020-12-11

制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源...

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制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10 -3cm深度处硼的浓度是表面浓...

在制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10 -3cm深度处硼的浓度是表面...

某硅单晶样品中掺有10 16cm -3的硼、10 16cm -3的磷和10 15cm -3镓,试分析该材料是N型半导体还是P型半导体?准自由电子和空穴浓度各为多...

半导体工业所用的硅单晶()是用CZ法生长的。

半导体硅工业产品不包括()①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅

半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子,同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的()型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子,同时向价带提供空...

金属-半导体接触分:()三种。当半导体衬底浓度 低于()时,只能产生(),当半导体衬底浓度 高于()时 可实现()。

简述什么是半导体?什么是N型半导体?什么是P型半导体?