问答题
比较霍尔元件、磁敏电阻、磁敏晶体管，它们有哪些相同之处和不同之处？简述其各自的特点。
发布日期：2020-12-11
试题解析
磁敏晶体管
具有双极型长基区晶体管结构的磁电转换器件。磁敏晶体管又称磁敏三极管或磁三极管，是70年代发展起来的新型半导体磁电转换器件，主要用于磁检测、无触点开关和近接开关等。
- 中文名
- 磁敏晶体管
- 分类
- NPN型和硅PNP型
- 平均温度系数
- -0.1%～-0.3%/℃
- 外文名
- Magnetic sensitive transistor
- 构成
- 发射区、集电区
霍尔元件
霍尔元件是一种半导体磁电器件，它是利用霍尔效应来进行工作的。早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应，1910年就有人用铋制成了霍尔元件，用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱，当时并没有引起什么重视。1948年后，由于半导体技术的迅速发展，人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗（Ge），接着，在1958年前后，人们又对化合物半导体——锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）进行了大量的研究，并制成了较为满意的元件。这时霍尔效应以及它所具有的广泛的应用才受到了人们普遍的重视。
- 中文名
- 霍尔元件
- 表达式
- RH=1/nq（式中 RH——
- 提出时间
- 1879年
- 外文名
- Hall components
- 提出者
- 霍尔
- 应用学科
- 物理学
磁敏电阻
磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值相应改变[2]，利用该变化，可精确地测试出磁场的相对位移。例如，在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。
- 中文名
- 磁敏电阻
- 原理
- 利用
- 外文名
- Magnetoresistor
- 材料
- InSb或 InAs
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