问答题
由N沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如图，设静态值V GS＝-0.2V，gm＝1.2mA/V，试求： 
静态值I D和V DS
发布日期：2020-12-11
试题解析
场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
- 中文名
- 场效应管
- 别名
- 场效应晶体管或者mos管
- 适用领域
- 电学
- 外文名
- Field Effect Transistor
- 表达式
- FET
- 应用学科
- 物理
如图
如图由佛山市舍彩家具有限公司于2018年01月14日在中国商标网创建成立，主要经营床垫等家具。
- 中文名
- 如图
- 所属公司
- 佛山市舍彩家具有限公司
- 创建时间
- 2018年01月14日
沟道
沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。
- 中文名
- 沟道
- 特征
- 源区和漏区之间的一薄半导体层
- 外文名
- channel
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