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6ev
MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为()。(肖特基缺陷生成能为6ev,1ev=1.6×10-15J,k=1.38×10-23J/K)
(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。
为保证拍摄大型合影照片的均匀度,在进行剖面测量时,要求该剖面任何位置的光照度不能相差6EV值。