三糖铁培养基与双糖铁培养基的区别在于加与不加( )。
晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。
满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。
在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(),它对少子在基区中的运动起到()的作用,使少子的基区渡越时间()。
基区主扩散属于有限表面源扩散。
基区渡越时间是指()。当基区宽度加倍时,基区渡越时间增大到原来的()倍。
简述基区扩散电阻最小条宽的设计受到三个限制
运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为 20W/cm 2,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
为什么基区薄层电阻需要修正?
每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。