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势垒高度
某间隙原子在晶格的间隙位置间跳跃。该间隙原子在晶格中振动的频率为2*10 15s -1,如该间隙原子在跳跃过程中需要克服的势垒高度为0.1eV,求该原子在1s内跳跃的次数。
T=300K,n型硅衬底杂质浓度为N D=10 16cm -3,计算肖特基势垒高度Φ B0、半导体侧的接触电势差V bi、空间电荷区厚度W。